HL系列蒸發源通常適用于Ga，In等材料，采用瓶狀坩堝和雙加熱絲的結構設計，上下溫區獨立控溫，可實現正溫度梯度，避免材料在坩堝口部凝結，從而降低橢圓形缺陷密度。憑借其獨特的坩堝形狀，HL系列蒸發源可顯著增加裝料容積，延長材料蒸發平均時間，大幅降低開關快門瞬間束流變化程度。另外，瓶狀坩堝有助于形成恒定的液體表面，可提供優異的均勻性，長期穩定的束流強度及良好的束流重復性。根據坩堝內材料的多少，調整上下溫區的溫度梯度，對束流均勻性進行優化。
| ● 超高真空兼容 | ● 兩組加熱絲單獨控溫，可實現“熱唇”構型 | ● 采用瓶狀坩堝，具有優異的束流均勻性和長期穩定性 |
| ● 溫度穩定性優于±0.2℃ | ● 配備獨立水冷套，蒸發源與水冷可單獨拆卸 |
| 蒸發源型號 | HL110 | HL175 | HL1100 | HL2350 | |
| 坩堝容積 (cc) | 110 | 175 | 1100 | 2350 | |
| 安裝法蘭尺寸 | CF63 | CF63 | CF125 | CF200 | |
| 總長度 (mm) | 399 | 460.5 | 602.3 | 653.3 | |
| 真空內長度 (mm) | 260.3 | 321.8 | 447 | 513.3 | |
| 真空內外徑 (mm) | 55.3 | 55.3 | 100.2 | 164 | |
坩堝尺寸 (mm) | 直徑 | 15.1 | 15.1 | 31.4 | 38.1 |
| 高度 | 119.5 | 181 | 314.4 | 403.7 | |
| 坩堝材質 | PBN | ||||
| 坩堝形狀 | 瓶狀坩堝 | ||||
| 加熱方式 | 輻射加熱，PBN支撐鉭片 | ||||
| 熱電偶 | C型/W-Re 5%-26% | ||||
| 溫度穩定性 | ≤±0.2℃ | ||||
| 工作溫度 | 300-1350℃ | ||||
| 最高除氣溫度 | 上溫區1300℃，下溫區1350℃ | ||||
| 烘烤溫度 | 250℃ | ||||
| 訂購編碼 | 3205010064 | 3205010052 | 3205010041 | 3205010170 | |
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